实时热点！Redmi K80系列强势升级：全系标配2K直屏，IP联名再添惊喜

Redmi K80系列强势升级：全系标配2K直屏，IP联名再添惊喜

北京，2024年6月16日 - 备受期待的Redmi K80系列手机今日正式发布，带来了全面升级的性能和体验。该系列不仅全系标配2K直屏，还将拥有IP联名系列产品，为用户带来更多选择和惊喜。

全系2K直屏，视界更清晰

Redmi K80系列全系搭载了2K分辨率的直屏，拥有更加细腻的显示效果和出色的视觉体验。无论是日常刷屏、观看视频还是玩游戏，都能带来更加舒适的感官享受。

强悍性能，尽在掌握

Redmi K80系列搭载了高通骁龙8 Gen4移动平台，采用台积电第二代N3E工艺制造，性能强劲，功耗更低。同时，该系列还配备了超大容量电池和120W快充，能够满足用户长续航和快速充电的需求。

IP联名，彰显个性

Redmi K80系列还将推出IP联名系列产品，为用户提供更多个性化选择。目前，已有消息称Redmi K80系列将与兰博基尼联名推出冠军版机型，外观设计极具辨识度，性能也将更加强悍。

Redmi K80系列的发布，再次展现了Redmi品牌在性能和性价比方面的实力。相信该系列产品将会受到广大消费者的喜爱。

以下为Redmi K80系列的部分主要参数：

• 处理器：高通骁龙8 Gen4移动平台
• 屏幕：2K分辨率直屏
• 电池：超大容量电池
• 快充：120W快充
• 其他：IP联名系列

Redmi K80系列的具体价格和上市时间，官方尚未公布。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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